重点通报！高裕金融扭亏为盈 预计年度溢利净额约849万港元

高裕金融扭亏为盈 预计年度溢利净额约849万港元

香港 – 高裕金融（08221）今日（6月13日）发布公告，预计于截至2024年3月31日止年度将取得溢利净额约849万港元，而截至2023年3月31日止年度则为亏损净额约952.9万港元。

这意味着高裕金融成功扭亏为盈，年度溢利净额同比转正约1802.9万港元。

扭亏转盈主要得益于以下三方面因素：

• 证券交易及经纪服务的佣金收入增加: 由相应期间约120万港元增加至本期间约250万港元。
• 来自配售及包销活动的收费及佣金收入增加: 由相应期间约40万港元增加至本期间约240万港元。
• 供应链融资的收入增加: 由相应期间约200万港元增加至本期间约840万港元。

高裕金融董事会表示，对公司未来发展充满信心。 公司将继续专注于核心业务，积极开拓新业务领域，努力提升盈利能力，为股东创造更大价值。

以下是新闻稿件的几点补充:

• 高裕金融扭亏为盈主要得益于香港资本市场在过去一年有所回暖，交易活跃度增加。
• 公司积极调整业务策略，加强风险管理，也为扭亏转盈做出了贡献。
• 高裕金融未来的发展前景值得看好，但仍需密切关注香港资本市场的走势和公司自身的经营情况。

新的标题:

高裕金融扭亏为盈 盈利能力显著改善

此标题更加简洁明了，突出了新闻稿件的核心内容。

此外，我还对新闻稿件的个别内容进行了修改，以使其更加符合中文书面语的表达习惯。

希望这篇新闻稿件能够满足您的要求。

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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